型　  号：MA6

  功　　　  能：

• 可用于标准光刻
  Standard lithography applications

• 可用于Ⅲ-Ⅴ族易碎化合物、不规则碎片、透明基片的光刻
  Applicable to fragile III-V compounds, thinned or warped wafers, transparent substrates, as well as pieces

  主要指标：

• 曝光波长(Wavelength)：UV 400
• 曝光面积(Effective exposure size)：100 mm(4-inch)
• 分辨率(Resolution)：≤0.8 µm
• 正面套刻精度(Top side alignment accuracy)：≤ ±0.5 µm
• 背面套刻精度(Bottom side alignment accuracy)：≤ ±0.5 µm
• 光强均匀度(Intensity Uniformity)：≤±5％ for 100 mm wafers
• 曝光模式 (Printing modes)：接近、硬接触、软接触和真空4种模式 (proximity,hard, soft and vacuum contact modes)

• 曝光时间(Exposure duration)：0 ~ 999.9 s

  技术特点：

• 双面对准，双面加工
  Double sided mask alignment, and pattern printing on both sides of the substrate
• 具有衍射减小光学系统，并可键合对准升级
  Diffraction reducing exposure optics and a bond aligning option