型　  号： RTP – 3

  功　  能：

• 基片的快速加热处理
  Rapid thermal process of wafers

  主要配置：

• 载片(Wafers)：直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
• 气体(Gas lines)：Ar, N₂
• 光源(Light sources)：1200 W×21只卤钨灯(1200W × 21 tungsten halogen  lamps)
• 温度范围(Temperature range): 150℃ ~1000℃
• 升温速率(Heating rate)：0.01 ℃~ 100℃ / s

  技术特点：

• 有效加热区大
  Large thermal zone
• 温度稳定性和均匀性好
  Good temperature uniformity and stability