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Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets

论文编号:
作者: K. Xu
刊物名称: Nanoscale
所属学科:
论文题目英文: Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
年: 2015
卷: 7
期:
页: 15757-15762
联系作者: J. He
收录类别:
影响因子:
参与作者:
备注:
   

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