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    科研成果

    直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

    专利名称: 直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
    英文名称: 直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
    专利类别: 发明
    申请号: 200810111971.8
    申请日期: 2008-5-20
    授权日期: 2010-12-22
    专利号: ZL200810111971.8
    第一发明人: 祁琼
    其它发明人: 江潮; 余爱芳
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期: 2010-12-22
    缴费情况:
    实施情况:
    专利证书号:
    专利摘要:
    其它备注:
       

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