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科研成果

一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法

专利名称: 一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法
英文名称:
专利类别: 发明
申请号: CN201711000112.7
申请日期: 2017-10-24 00:00:00
授权日期: 2020-06-16 00:00:00
专利号: ZL201711000112.7
第一发明人: 唐智勇
其它发明人: 高小青
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期: 2020-06-16 00:00:00
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
   

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