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科研成果
一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法
专利名称:
一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法
英文名称:
专利类别:
发明
申请号:
CN202011364529.3
申请日期:
2020-11-27 00:00:00
授权日期:
2022-11-01 00:00:00
专利号:
ZL202011364529.3
第一发明人:
何军
其它发明人:
王枫梅; 余鹏
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
2022-11-01 00:00:00
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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